项目规模：1#厂房为已建四层框架层混凝土柱丙类厂房，总长度约160m，首层层高6.5m，二层5.5m，三层、四层均为4.8m，本次改造仅使用右边（厂房东面）约80m长度区域和1#厂房东侧扩建区域用地722.68㎡。该项目包含厂房净化改造工程和改扩建工程。

厂房净化改造工程：共四层，其中，一层改造成百级洁净面积约440m²，千级洁净面积约100m²,万级洁净区域约1200m²，其它辅助面积（男女更衣室、U型参观走廊、卫生间、楼梯间及进门大厅等）约900m²；二层改造成万级洁净区面积约1000m²，十万级洁净区面积约1000m²，其他为设备用房；三层建成办公面积约1400m²，其它区域及四层区域作为预留区。

扩建工程：在1#厂房东侧空置地块楼外东面增加扩建设备用房，包括PCW、纯水、废水处理、冷冻空压、变电站、化学品分配、特气分配、危废库、废水池、事故池等。该项目需新增配电建设3200KVA。

   服务内容：该项目是在已有厂房内进行净化装修改造后，满足业主芯片研发、测试等需求，达到年研发6000片6寸SiC MOSFET的规模。